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Transistor MOSFET, SIHP12N60E-GE3, N-Canal, 12 A, 600 V, 3-pin,

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MOSFET de canal N, 10 A a 14 A, Vishay Semiconductor

 

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Altura 9.01mm
  Ancho 4.65mm
  Capacitancia de Entrada Típica @Vds 937 pF @ 100V
  Carga Típica de Puerta @ Vgs 29 nC @ 10 V
  Categoría MOSFET de potencia
  Configuración Único
  Conteo de Pines 3
  Corriente Máxima Continua de Drenaje 12 A
  Dimensiones 10.51 x 4.65 x 9.01mm
  Disipación de Potencia Máxima 147 W
  Longitud 10.51mm
  Modo de Canal Mejora
  Número de Elementos por Chip 1
  Resistencia Máxima Drenador-Fuente 0.38 ?
  Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
  Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
  Tensión Máxima Drenador-Fuente 600 V
  Tensión Máxima Puerta-Fuente ±30 V
  Tiempo de Retardo de Apagado Típico 35 ns
  Tiempo de Retardo de Encendido Típico 14 ns
  Tipo de Canal No
  Tipo de Encapsulado TO-220 AB
  Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
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