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Transistor MOSFET, FQPF6N90C, N-Canal, 6 A, 900 V, 3-Pin, TO-220

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Transistores MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild ofrece una importante cartera de dispositivos MOSFET que incluye alta tensión (>250 V) y baja tensión (<250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
Los MOSFET de Fairchild proporcionan un diseño superior fiable gracias a la reducción de los picos de tensión y sobredisparo, para una capacitancia de conexión menor y una carga de recuperación inversa, para eliminar así los componentes externos adicionales y mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.

Especificaciones:

 

Altura 9.19mm
  Ancho 4.7mm
  Capacitancia de Entrada Típica @Vds 1.360 pF a 25 V
  Carga Típica de Puerta @ Vgs 30 nC a 10 V
  Categoría MOSFET de potencia
  Configuración Único
  Conteo de Pines 3
  Corriente Máxima Continua de Drenaje 6 A
  Dimensiones 10.16 x 4.7 x 9.19mm
  Disipación de Potencia Máxima 56000 mW
  Longitud 10.16mm
  Modo de Canal Mejora
  Número de Elementos por Chip 1
  Resistencia Máxima Drenador-Fuente 2.3 ?
  Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
  Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
  Tensión Máxima Drenador-Fuente 900 V
  Tensión Máxima Puerta-Fuente ±30 V
  Tiempo de Retardo de Apagado Típico 55 ns
  Tiempo de Retardo de Encendido Típico 35 ns
  Tipo de Canal No
  Tipo de Encapsulado TO-220F
  Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
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