Transistor MOSFET, FQPF6N90C, N-Canal, 6 A, 900 V, 3-Pin, TO-220 > electronica > semiconductores > discretos > componentes electrónicos

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Datos del Producto

Transistores MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild ofrece una importante cartera de dispositivos MOSFET que incluye alta tensión (>250 V) y baja tensión (<250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
Los MOSFET de Fairchild proporcionan un diseño superior fiable gracias a la reducción de los picos de tensión y sobredisparo, para una capacitancia de conexión menor y una carga de recuperación inversa, para eliminar así los componentes externos adicionales y mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.

Especificaciones:

Altura	9.19mm
	Ancho	4.7mm
	Capacitancia de Entrada Típica @Vds	1.360 pF a 25 V
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	30 nC a 10 V
	Categoría	MOSFET de potencia
	Configuración	Único
	Conteo de Pines	3
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	6 A
	Dimensiones	10.16 x 4.7 x 9.19mm
	Disipación de Potencia Máxima	56000 mW
	Longitud	10.16mm
	Modo de Canal	Mejora
	Número de Elementos por Chip	1
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	2.3 ?
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	900 V
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	±30 V
	Tiempo de Retardo de Apagado Típico	55 ns
	Tiempo de Retardo de Encendido Típico	35 ns
	Tipo de Canal	No
	Tipo de Encapsulado	TO-220F
	Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante